中科院微電子所在極紫外光刻基板缺陷補償方面取得進(jìn)展

近日，中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心在極紫外光刻基板缺陷補償方面取得進(jìn)展。

與采用波長(cháng)193nm的深紫外（DUV）光刻使用的掩模不同，極紫外（EUV）光刻的掩模采用反射式設計，其結構由大約40層Mo和Si組成的多層膜構成。在浸沒(méi)式光刻技術(shù)的技術(shù)節點(diǎn)上，基板制造和掩模制造已足夠成熟，掩模缺陷的密度和尺寸都在可接受的水平。但是在EUV光刻系統中，由于反射率及掩模陰影效應的限制，掩?；迦毕菔怯绊懝饪坛上褓|(zhì)量、進(jìn)而導致良率損失的重要因素之一。

圖1. (a)優(yōu)化算法流程 (b)自適應分段策略樣例 (c) 自適應分段的合并與分裂

基于以上問(wèn)題，微電子所研究員韋亞一課題組與北京理工大學(xué)教授馬旭課題組合作，提出了一種基于遺傳算法的改進(jìn)型掩模吸收層圖形的優(yōu)化算法。該算法采用基于光刻圖像歸一化對數斜率和圖形邊緣誤差為基礎的評價(jià)函數，采用自適應編碼和逐次逼近的修正策略，獲得了更高的修正效率和補償精度。算法的有效應性通過(guò)對比不同掩?；迦毕莸木匦谓佑|孔修正前后的光刻空間像進(jìn)行了測試和評估。

結果表明，該方法能有效地抑制掩?；迦毕莸挠绊?，提高光刻成像結果的保真度，并且具有較高的收斂效率和掩?？芍圃煨?。

圖2. (a)對不同大小的基板缺陷的補償仿真結果 (b) 對不同位置的基板缺陷的補償仿真結果 (c) 對復雜圖形的基板缺陷的補償仿真結果 (d) 對不同位置的基板缺陷的補償、使用不同優(yōu)化算法，目標函數收斂速度的比較

相關(guān)成果以Compensation of EUV lithography mask blank defect based on an advanced genetic algorithm為題發(fā)表在《光學(xué)快報》（Optics Express）上。此項研究得到國家自然科學(xué)基金、國家重點(diǎn)研究開(kāi)發(fā)計劃、北京市自然科學(xué)基金、中科院等項目資助。

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